金属、介质等多种材料的刻蚀工艺。

1、最大支持8英寸晶圆，样品台可360°旋转，倾斜偏转范围-90°至80°；

2、RF型射频离子源最大输出功率1 kW，频率2 MHz；

3、刻蚀线宽：最小CD≤50 nm；

4、满足SiO₂斜齿光栅、Si闪耀光栅、金属Au垂直刻蚀加工等工艺需求。