主要用于SiC、Al₂O₃、GaN、Ga₂O₃等介质刻蚀。

1、最大支持8英寸晶圆；

2、主要用于SiC、Al₂O₃、GaN、Ga₂O₃等介质材料的干法刻蚀；

3、气路：Ar、O₂、He、N₂、SF₆、CF₄、Cl₂、BCl₃；

4、刻蚀均匀性≤5%。