主要用于SiO₂、SiN_x等介质层的刻蚀。

1、最大支持8英寸晶圆；
2、用于对SiO₂、SiN_x等介质层的刻蚀工艺；

3、气路：Ar、O₂、N₂、CF₄、C₂H₂、C₄F₈、C₄F₆、CHF₃；

4、刻蚀均匀性≤5%。