用于实现硅TSV、Trench、Cavity等刻蚀工艺。

1、最大支持8英寸晶圆；
2、用于实现硅TSV、Trench、Cavity等刻蚀工艺；

3、气路：Ar、O₂、CF₄、SF₆、C₄F₈；

4、刻蚀均匀性≤5%。