主要用于在硅晶圆衬底表面沉积高度致密的、无针孔、无颗粒、纳米尺度的氧化物，如HfO2、ZrO2、Al2O3等。

1、最大支持8英寸晶圆；
2、沉积反应腔加热温度≤500 ℃，温度均匀性≤±2 ℃；
3、主要沉积材料：ZrO₂、Al₂O₃、HfO₂等，膜厚均匀性≤1%（膜厚50nm）；
4、前驱源：TMA、H₂O、TiC1₄、TEMAZr、TDMAHf。