半导体材料、大规模集成电路和器件的掺杂，金属材料表面改性和制膜等。

1、最大支持8英寸晶圆；

2、能量范围：30-380 KeV（一价离子），双价离子可以达到760 KeV；能量偏差：30-100KeV，偏差±0.5 KeV，100-380 KeV，偏差1%；

3、注入元素：P、B、Al、N、F、Si、H、Mg、As、Ar等；注入角度：0°-45°，角度精度≤0.2°；

4、剂量范围：2E11-1E16 ions/cm²；最大束流（不扫开束流）：B+：≥1200 μA，P+：≥1800 μA，N+：≥1800 μA，Al+：≥2000 μA；束流稳定性：变化率≤10%（20 min）；

5、注入均匀性：1σ≤1%；注入重复性：1σ≤1%。