生长栅极氧化层、场氧化层等关键介质薄膜，对晶圆进行退火、修复晶格损伤。

1、最大支持6英寸晶圆；

2、3个恒温区控温精度在600-1100 ℃范围内为±0.5 ℃，温度均匀性为±1 ℃，最大可控升温速率为15 ℃/min（5-1200 ℃）；

3、片内、片间和批间的均匀性均2%，且金属离子沾污≤1E11 atoms/cm²。