沉积二氧化硅、多晶硅、氮化硅等薄膜。

1、最大支持6英寸晶圆；
 2、3个恒温区控温精度在500-900 ℃范围内为±0.5 ℃，温度均匀性为±1 ℃，最大可控升温速率为15 ℃/min（5-900 ℃）；
 3、片内、片间和批间的均匀性在3%-4%之间。