半导体晶圆、集成电路、QFN、发光二极管、miniLED、太阳能电池电子基片等的划切，适用于包括硅、石英、 氧化铝、氧化铁、砷化镓、铌酸锂、蓝宝石和玻璃等材料。

1、加工尺寸：≤直径305 mm；
2、速度：X轴0.1-600 mm/s，Y1&Y2轴0.1-400 mm/s，Z1&Z2轴最大100 mm/s；
3、单步步进量（分辨率）：0.1 μm，重复定位精度1 μm，T（θ）轴最大行程380°，分辨率0.0001°，平整度0.008 mm/Φ200 mm。