通过紫外曝光实现芯片制造过程中的各种图形化。

1、最大支持8英寸晶圆；
2、曝光光源：365 nm（i线）、405 nm（h线）、435 nm（g线）；
3、分辨率：优于1.0 µm（8英寸晶圆，i线）；优于0.8 µm（6英寸晶圆及更小晶圆，i线）；
4、支持正面对准，背面对准和红外对准三种模式，正面对准精度0.5 µm，背面对准精度1.0 µm。