掩膜版制作、光刻胶直写以及多层套刻直写曝光等，主要应用于掩膜版、芯片、微机电系统、传感器微光机电、超材料以及新颖材料等领域。

1、曝光分辨率 0.6 µm；

2、最小线宽和间距 0.8 µm；

3、套刻对准精度 250 nm；

4、曝光速度 285 mm²/min；

5、有效曝光面积 200 mm×200 mm。