通过电子束曝光实现芯片制造过程中的微纳结构加工，可应用于纳米器件制备及半导体掩膜制造等领域。

1、套刻精度：在高精度模式下小于40 nm；

2、拼接精度：在高精度模式下小于50 nm；

3、束流：300 pA至40 nA；

4、扫描时钟频率：50 MHz，20 bit分辨率；

5、扫描区域：150 mm×150 mm；

6、设备最大写场≥1000 µm。