金属薄膜生长、反应溅射与共溅射、氧化物或者氮化物制备；

1、进样室本底真空度：5E-8 Torr，最大支持6英寸样品（可手工支持8英寸）；

2、SPT-1-1-X：本底真空度：5E-9 Torr，双直流电源功率1000 W；

3、SPT-1-2-M：本底真空度：5E-9 Torr，直流电源功率1000 W，射频电源，13.56 MHz，功率500 W；

4、SPT-1-3-ON：本底真空度：5E-9 Torr，直流电源功率1000 W，射频电源13.56 MHz，功率500 W，样品加热温度≤800 ℃。