沉积Al₂O₃、HfO₂、IGZO、In₂O₃等薄膜。

1、最大支持8英寸晶圆；
2、沉积反应腔加热温度≤400 ℃，温度控制精度±1 ℃；
3、主要沉积材料：Al₂O₃、HfO₂、IGZO、In₂O₃等，膜厚均匀性≤2%（500 cycle）；

4、前驱源：TMG、DEZn、DADI。