用于沉积AIN、TiN、SiN_x等薄膜。

1、最大支持8英寸晶圆；
2、沉积反应腔加热温度≤350 ℃，温度均匀性≤±2 ℃；等离子系统射频频率为13.56 MHz，最大功率300 W；
3、主要沉积材料：AIN、TiN、SiN_x等，膜厚均匀性≤1%（膜厚50nm）。

4、前驱源：TMA、H₂O、TiC1₄、SAM24（Si源）。