用于沉积高致密SiO₂、SiN_x、SiON、a-Si等薄膜。

1、最大支持8英寸晶圆；
2、主要用于低温高致密SiO₂、SiN_x、SiON、a-Si等沉积工艺和SiO₂填充、表面修平工艺，沉积均匀性3.5%；
3、工艺温度 75-250 ℃，温度稳定性±1%。

4、反应气体：O₂、NH₃、SiH₄、N₂、CF₄、N₂O。