用于沉积SiO₂、SiN_x、a-Si、PSG、BPSG等薄膜。

1、最大支持8英寸晶圆；
2、主要沉积SiO₂、SiN_x、a-Si、PSG、BPSG等膜层材料，沉积均匀性≤1%；
3、工艺温度 200-400 ℃，温度稳定性≤1 ℃；

4、反应气体：O₂、NH₃、SiH₄、CH₄、CF₄、N₂O、PH₃、GeH₄、B₂H₆。