中国科学技术大学集成电路实验中心是面向集成电路人才培养和校企协同科研攻关需求的先进集成电路制造与封测平台，目标建设基于8英寸CMOS集成电路工艺的产教融合创新示范线。实验中心总建筑面积约5500平方米，包括万级/十万级实验区900平方米、千级洁净区2200平方米、百级洁净区300平方米、芯片测试区450平方米，及其他厂务配套区。实验中心配备包括晶圆清洗、匀胶/去胶、光刻、电子束曝光、物理沉积、化学气相沉积、离子注入、反应离子刻蚀、化学机械抛光、键合和划片等在内的标准8英寸前道工艺设备、后道工艺设备、封装设备及相关测试表征设备。实验中心设备投资总额约2.2亿，超净室建设投资0.89亿。